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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请提供了一种三维存储器，包括：堆叠层，位于半导体层上；存储沟道结构，穿过堆叠层，并包括第一沟道层；选择栅结构，位于堆叠层的背离半导体层的一侧；选择沟道结构，穿过选择栅结构，并包括由外向内设置的绝缘层和第二沟道层；以及阻隔层，包括：第一阻隔部分，位于绝缘层的靠近半导体层的端面；以及第二阻隔部分，位于绝缘层的背离第二沟道层的表面。本申请的一些实施方式的三维存储器设置的阻隔层能够有效阻挡导电层中掺杂的杂质粒子向栅介质层扩散，保证了栅介质层的质量，有利于控制TSG晶体管的稳定性。
主权项：三维存储器，包括：堆叠层，位于半导体层上；存储沟道结构，穿过所述堆叠层，并包括第一沟道层；选择栅结构，位于所述堆叠层的背离所述半导体层的一侧；以及选择沟道结构，穿过所述选择栅结构，并包括由外向内设置的绝缘层和第二沟道层，所述选择沟道结构还包括阻隔层，其中，所述阻隔层包括：第一阻隔部分，位于所述绝缘层的靠近所述半导体层的端面；以及第二阻隔部分，位于所述绝缘层的背离所述第二沟道层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制造方法、以及存储器系统
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