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申请/专利权人：丰田合成株式会社
摘要：本发明提供一种抑制发光效率的降低的发光元件。由III族氮化物半导体构成，具有：基板；设置在基板上且由n型的III族氮化物半导体构成的n层；设置在n层上且具有规定发光波长的第1活性层；设置在第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成的中间层；设置在中间层上且发光波长与第1活性层不同的第2活性层；设置在第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1电子阻挡层；从第1电子阻挡层侧到达中间层的深度的凹槽；设置在第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第1p层；设置在槽底面露出的中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成的第2p层；第1p层和第2p层包括第2电子阻挡层和设置在第2电子阻挡层上的第1接触层。
主权项：1.一种发光元件，是由III族氮化物半导体构成的发光元件，具有：基板，n层，设置在所述基板上且由n型的III族氮化物半导体构成，第1活性层，设置在所述n层上且具有规定的发光波长，中间层，设置在所述第1活性层上且由包含In的III族氮化物半导体构成，第2活性层，设置在所述中间层上且发光波长与所述第1活性层不同，第1电子阻挡层，设置在所述第2活性层上且由p型的III族氮化物半导体构成，凹槽，具有从所述第1电子阻挡层侧到达所述中间层的深度，第1p层，设置在所述第1电子阻挡层上且由p型的III族氮化物半导体构成，第2p层，设置在露出于所述凹槽的底面的所述中间层上且由p型的III族氮化物半导体构成；并且，所述第1p层和所述第2p层包括第2电子阻挡层和设置在所述第2电子阻挡层上的第1接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 丰田合成株式会社 发光元件及其制造方法
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