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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2023-07-20
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118155690A
主分类号：G11C16/34
分类号：G11C16/34;G11C16/10;G11C16/08;G11C16/24
优先权：["20221205 KR 10-2022-0167720"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本公开涉及执行编程操作的存储器装置以及操作存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括存储块、外围电路和控制逻辑。存储块包括存储器单元。外围电路对选定存储器单元执行包括编程循环的编程操作。控制逻辑控制外围电路将编程禁止电压施加到连接到具有第一组目标状态的存储器单元的位线，将编程禁止电压施加到连接到具有第二组目标状态的存储器单元当中的其编程被确定为在先前编程循环中完成的存储器单元的位线，并且将编程允许电压施加到连接到具有第二组目标状态的存储器单元当中的其编程被确定为在先前编程循环中未完成的存储器单元的位线。第一组和第二组由当前编程循环的数量确定。
主权项：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：存储块，所述存储块包括多个存储器单元；外围电路，所述外围电路对多个存储器单元当中的选定存储器单元执行包括多个编程循环的编程操作；以及控制逻辑，在所述编程操作期间设定连接到所述选定存储器单元的位线的电压的过程中，所述控制逻辑控制所述外围电路将编程禁止电压施加到连接到与由当前编程循环的数量确定的第一组的目标编程状态相对应的存储器单元的位线，将所述编程禁止电压施加到连接到与由所述当前编程循环的数量确定的第二组的目标编程状态相对应的存储器单元当中的其编程被确定为在先前编程循环中完成的存储器单元的位线，并且将编程允许电压施加到连接到与由所述当前编程循环的数量确定的所述第二组的目标编程状态相对应的存储器单元当中的其编程被确定为在所述先前编程循环中未完成的存储器单元的位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 执行编程操作的存储器装置以及操作存储器装置的方法
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