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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-01-26
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118147689A
主分类号：C25B11/091
分类号：C25B11/091;C25B11/052;C25B11/02;C25B1/55;C25B1/04
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明属于光电化学水分解光电极材料制备技术领域，具体涉及一种晶格匹配的氮化钽光阳极制备方法，该方法是利用电子束共蒸发沉积法和高温氮化法在基底上引入Nb5N6导电层，利用Ta3N5与Nb5N6具有良好的晶格匹配这一特点，通过双源电子束共蒸发沉积法和高温氮化法在与Ta3N5晶格匹配的Nb5N6层上沉积梯度Mg掺杂Ta3N5薄膜，以提升Mg掺杂Ta3N5薄膜的结晶度。为制备氮化钽光阳极和提升其结晶性提供了新的思路，该方案还可以进一步应用到其他光电材料的制备中。
主权项：1.一种晶格匹配的氮化钽光阳极制备方法，其特征在于，包括步骤如下：步骤1、清洗基底；步骤2、采用电子束沉积法在基底上制备Nb2O5前驱体薄膜；步骤3、高温氮化Nb2O5前驱体薄膜，制备得到Nb5N6薄膜；步骤4、采用双源电子束沉积法在Nb5N6薄膜上制备梯度Mg掺杂Ta2O5前驱体薄膜；步骤5、高温氮化Mg掺杂Ta2O5前驱体薄膜，制备得到Mg:Ta3N5Nb5N6薄膜；步骤6、使用导电银浆将导电线与Mg:Ta3N5Nb5N6薄膜四周Nb5N6暴露的地方粘连在一起，并使用凝固胶将导电银浆封装覆盖，形成欧姆接触，制备得到Mg:Ta3N5Nb5N6光阳极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种晶格匹配的氮化钽光阳极制备方法
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