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申请/专利权人：AGC株式会社;AGC硅素技术株式会社
申请日：2021-02-22
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118145659A
主分类号：C01B33/193
分类号：C01B33/193
优先权：["20200227 JP 2020-032046","20200925 JP 2020-161378","20200925 JP 2020-161379"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明提供壳层致密化的新型的中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内侧具有空间部，前述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00gcm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00gcm3。
主权项：1.一种中空二氧化硅颗粒，其具备包含二氧化硅的壳层，在所述壳层的内侧具有空间部，所述壳层具有细孔，该细孔的尺寸能够使氦气分子通过而无法通过氧气分子，所述中空二氧化硅颗粒的、通过基于使用了氦气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度为2.00gcm3以上，并且通过基于使用了氧气的干式比重瓶的密度测定求出的颗粒的密度小于2.00gcm3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AGC株式会社;AGC硅素技术株式会社 中空二氧化硅颗粒及中空二氧化硅颗粒的制造方法
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