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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN117912979B
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L23/544
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：本发明涉及一种关键尺寸的量测方法和量测结构，量测方法包括：提供衬底，在量测区设置第一子量测区；在功能区形成沿第一方向延伸的有源区，在第一子量测区形成沿第一方向连续延伸的第一测试条，沿第一方向，第一测试条的关键尺寸大于有源区的关键尺寸；在有源区上形成沿第二方向延伸的栅极结构，在第一子量测区形成沿第二方向连续延伸的第二测试条，沿第二方向，第二测试条的关键尺寸大于栅极结构的关键尺寸；在栅极结构两侧的有源区中形成西格玛沟槽，在第二测试条两侧的第一测试条中形成测试沟槽；采用光学关键尺寸测量方法量测测试沟槽的关键尺寸，用于表征西格玛沟槽的关键尺寸，精准表征西格玛沟槽的关键尺寸，提升量测精度。
主权项：1.一种关键尺寸的量测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区和量测区，在所述量测区设置第一子量测区；在所述功能区形成沿第一方向延伸的有源区，同时在所述第一子量测区形成沿所述第一方向连续延伸的第一测试条，沿所述第一方向，所述第一测试条的关键尺寸大于所述有源区的关键尺寸；在所述有源区上形成沿第二方向延伸的栅极结构，同时在所述第一子量测区形成沿所述第二方向连续延伸的第二测试条，沿所述第二方向，所述第二测试条的关键尺寸大于所述栅极结构的关键尺寸；在所述栅极结构两侧的所述有源区中形成西格玛沟槽，同时在所述第二测试条两侧的所述第一测试条中形成测试沟槽；采用光学关键尺寸测量方法量测所述测试沟槽的关键尺寸，得到的量测结果用于表征所述西格玛沟槽的关键尺寸；除沿所述第一方向的关键尺寸之外，所述第一测试条的其余的关键尺寸和所述有源区的其余的关键尺寸相同；除沿所述第二方向的关键尺寸之外，所述第二测试条的其余的关键尺寸和所述栅极结构的其余的关键尺寸相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 关键尺寸的量测方法及量测结构
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