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【发明公布】一种具有耐高压、输出反馈特性的碳化硅Buck电路_兰州大学_202410383714.9 

申请/专利权人:兰州大学

申请日:2024-04-01

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN118174550A

主分类号:H02M3/156

分类号:H02M3/156;H02M1/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开

摘要:本发明涉及一种具有耐高压、输出反馈特性的碳化硅Buck电路,包括:第一比较器、脉冲宽度调制模块、输出反馈模块和斩波降压模块;通过控制所述碳化硅NMOS管的开通时长在整个开通关断周期中所占的比值,即占空比D的大小,实现斩波降压;其中,Vi=V0*D。本发明考虑到实际工作中电路中出现的寄生电感电容效应,并最终成功实现了在使用碳化硅NMOS管器件和碳化硅SBD工作的Buck电路的降压功能,通过用碳化硅NMOS管和碳化硅SBD器件代替传统的硅器件可以使阻抗更低,提高转换效率;并且碳化硅器件的工作频率更高,而且效率不随着频率的升高而降低,因此可以降低能量损耗,且能在更高温度的工作环境下运行。

主权项:1.一种具有耐高压、输出反馈特性的碳化硅Buck电路,其特征在于,所述碳化硅Buck电路包括:第一比较器、脉冲宽度调制模块、输出反馈模块和斩波降压模块;所述斩波降压模块包括:碳化硅SBD和碳化硅NMOS管,所述碳化硅SBD的阳极与直流电源A1的负极接地点连接,所述碳化硅NMOS管的漏极与直流电源A1的正极连接,其源级与所述碳化硅SBD的阴极和功率电感连接;电容C1并联在负载和所述碳化硅SBD的两端,构成所述碳化硅NMOS管关断后的续流回路;所述碳化硅NMOS管的栅极连接有PWM调制器;所述直流电源A1的输出电压为Vi,所述斩波降压模块的输出电压为V0;所述脉冲宽度调制模块包括三角波发生电路,所述三角波发生电路输出具有三角波性质的直流电压为V4;所述输出反馈模块包括:直流电源A5和放大器B2,所述直流电源A5的正极与所述放大器B2的正极连接;所述直流电源A5提供的参考直流电压为V5,通过所述放大器B2后输出的参考直流电压为V6,V6接入所述第一比较器的正极;其中,所述放大器B2的负极连接V0,V0与V5通过所述放大器B2相减,进而改变V6;所述V4接入所述第一比较器的负极,所述V6接入第一比较器的负极进行比较;所述第一比较器的输出端与所述PWM调制器连接;当V4的电压幅值小于V6的信号时,所述第一比较器输出一个高于所述碳化硅NMOS管的栅极驱动电压,所述碳化硅NMOS管开通工作;当V4的电压幅值大于V6的信号时,所述第一比较器输出一个接近于0电位的截止电压,所述碳化硅NMOS管关断;通过控制所述碳化硅NMOS管的开通时长在整个开通关断周期中所占的比值,即占空比D的大小,实现斩波降压;其中,Vi=V0*D。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 兰州大学 一种具有耐高压、输出反馈特性的碳化硅Buck电路

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