申请/专利权人：艾赛斯有限责任公司

申请日：2018-10-09

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN118174237A

主分类号：H02H3/08

分类号：H02H3/08;H02H1/06

优先权：["20171010 US 15/729,560"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.11#公开

摘要：一种两端子式电子熔断器装置包括以特定拓扑结构连接的两个开关、四个二极管、开关控制电路和存储电容器。当AC电流流动通过熔断器时，充电电流充电存储电容器。随后，使用存储在存储电容器中的能量来供电开关控制电路。如果存储电容器上的电压下降，那么开关在适当的时间暂时地断开。断开开关允许充电电流流动。通过仅在流动通过熔断器的低电流期间断开开关并充电存储电容器，流动通过熔断器的负载电流得以最小化。如果检测到过载电流状况，那么熔断器切断，并且第一和第二开关断开。如果电容器不需要充电并且不存在过载状况，那么开关保持闭合。

主权项：1.一种自供电熔断器装置，包括：第一熔断器装置封装端子；第二熔断器装置封装端子；具有源极、漏极和门极的第一N通道场效晶体管NFET，其中所述第一NFET的所述漏极联接至所述第一熔断器装置封装端子；具有阳极和阴极的第一二极管，其中所述第一二极管的所述阳极联接至所述第一NFET的所述源极，其中所述第一二极管的所述阴极联接至所述第一NFET的所述漏极；具有源极、漏极和门极的第二NFET，其中所述第二NFET的所述漏极联接至所述第二熔断器装置封装端子，并且其中所述第二NFET的所述源极在第二节点处联接至所述第一NFET的所述源极；具有阳极和阴极的第二二极管，其中所述第二二极管的所述阳极联接至所述第二NFET的所述源极，其中所述第二二极管的所述阴极联接至所述第二NFET的的所述漏极；具有阳极和阴极的第三二极管，其中所述第三二极管的所述阳极联接至所述第一二极管的所述阴极；具有阳极和阴极的第四二极管，其中所述第四二极管的所述阳极联接至所述第二二极管的所述阴极，其中所述第四二极管的所述阴极在第一节点处联接至所述第三二极管的所述阴极；具有第一端子和第二端子的单个存储电容器，其中所述单个存储电容器联接于所述第一节点与所述第二节点之间的充电电流路径中；开关控制电路，所述开关控制电路由所述单个存储电容器中的电荷供电，并且联接至所述第一NFET的所述门极，并且联接至所述第二NFET的所述门极，其中，所述开关控制电路包括第三NFET和第四NFET，其中所述第三NFET联接至所述第一NFET作为第一电流镜，其中流过所述第三NFET的电流是流过所述第一NFET的电流的1100，其中所述第四NFET联接至所述第二NFET作为第二电流镜，并且其中流过所述第四NFET的电流是流过所述第二NFET的电流的1100；和电流限制器电路，所述电流限制器电路联接于所述充电电流路径中，由此使得充电电流可从所述第一节点流动、通过所述电流限制器电路、通过所述单个存储电容器，并且流至所述第二节点，所述电流限制器电路包括：耗尽模式场效晶体管、齐纳二极管、和两个晶体管，其中流过所述单个存储电容器的所述充电电流的量值受所述两个晶体管之一限制，其中所述齐纳二极管将电压钳位在所述耗尽模式场效晶体管的栅极上，并且其中当所述耗尽模式场效晶体管的栅源电压VGS下降到阈值以下并且所述耗尽模式场效晶体管被关断时，设定单个存储电容器可被充电达到的最大电压；其中，所述单个存储电容器的第一端子经由电流限制电路连接到所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阴极，并且其中所述单个存储电容器的第二端子连接到所述第一二极管的阳极和第二二极管的阳极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾赛斯有限责任公司 自供电电子熔断器

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