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申请/专利权人：杭州岸达科技有限公司
申请日：2024-05-15
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118169463A
主分类号：G01R21/06
分类号：G01R21/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：本发明公开一种功率检测电路，包括检测单元电路和两路参考电路，检测单元电路中第一三极管与与耦合电容串联并接至待测射频信号，两路第一负载电路联以组合接至第一三极管，以对第一三极管的输入电压进行分压，第一三极管的输出电压经低通滤波得到检测电压，所述检测电压随待测射频信号功率的增大而减小；第一功率限值产生电路输出一路第一功率限值电压，第二功率限值产生电路输出一路第二功率限值电压，其中，按照相同的负载配置设置检测单元电路和功率上限值产生电路，同时，按照镜像的方式配置两路参考电压产生电路，这样，检测单元电路、两路参考电压产生电路具有相同的PVT特性，检测时对功率检测电路受PVT产生的影响进行补偿。
主权项：1.一种功率检测电路，包括检测单元电路和两路参考电路，其中，所述检测单元电路包括第一三极管，该第一三极管与耦合电容串联并接至待测射频信号，所述第一三极管对得到的分压进行放大，所述第一三极管又被接至两路第一负载电路，两路第一负载电路并联以组合接至所述第一三极管，以对所述第一三极管的输入电压进行分压，所述第一三极管的输出电压经低通滤波得到检测电压，所述检测电压随待测射频信号功率的增大而减小；两路参考电路包括第一功率限值产生电路和第二功率限值产生电路，所述第一功率限值产生电路包括第二三极管和第一运算放大器，并输出一路第一功率限值电压，第二功率限值产生电路包括第三三极管和第二运算放大器，并输出一路第二功率限值电压，所述第二三极管的漏极接至两路第二负载电路，第三三极管的漏极接至两路第三负载电路，其中，所述第二三极管为NMOS管，每一路所述第二负载电路被配置为，自所述第二三极管的漏极串联一个负载电阻，再接至一个PMOS管的漏极；所述第三三极管为PMOS管，每一路所述第三负载电路被配置为，自所述第三三极管的漏极串联一个负载电阻，再接至一个NMOS管的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州岸达科技有限公司 功率检测电路
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