龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
申请日：2023-09-14
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN117334568B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开
摘要：本发明提供一种功率器件的形成方法及功率器件，所述功率器件包括分离栅，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺杂浓度；S3、去除除了位于所述槽的侧壁以外的多晶硅；S4、热氧化形成多晶硅间隔氧化层。其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的浓度不同。本发明的方法可以保证台面不被氧化消耗，同时氧化出栅氧和符合要求的多晶硅间隔氧化层。
主权项：1.一种功率器件的形成方法，所述功率器件包括分离栅，其特征在于，包括步骤：S1、提供一衬底，所述衬底的上表面包括外延层，所述外延层包括槽，所述槽内设置分离栅，所述分离栅包括第一掺杂浓度；S2、在所述槽沉积多晶硅，所述多晶硅包括第二掺杂浓度；S3、去除除了位于所述槽的侧壁以外的多晶硅；S4、热氧化形成多晶硅间隔氧化层；其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度的浓度不同；所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度的浓度；在步骤S1中，所述分离栅多晶硅为掺杂磷；在步骤S2中，所述多晶硅未掺杂杂质离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种功率器件的形成方法及功率器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号