申请/专利权人：西北核技术研究所

申请日：2022-06-27

公开（公告）日：2024-06-11

公开（公告）号：CN115148564B

主分类号：H01J23/04

分类号：H01J23/04;H01J23/10;H01J21/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.11#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.10.04#公开

摘要：本发明涉及一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统，以解决目前阴极底座在回流电子束轰击下，会发射电子轰击到阳极组件，导致阻抗崩溃的技术问题。该阴极结构包括阴极底座和阴极引杆；阴极底座的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成；母线包括依次连接的第一圆弧段、第一直线段、第二直线段、第三直线段、第四直线段、第二圆弧段、第三圆弧段、第五直线段及第六直线段；第一直线段、第二直线段、第三直线段及第四直线段周向旋转形成的平面组成电子束收集环腔；第一圆弧段和第二圆弧段的半径分别为R1和R2，0.5R3≤R2≤0.7R3，R1＝R02‑R01。该高功率微波系统包括抑制电子发射的阴极结构。

主权项：1.一种无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构，其特征在于：包括阴极底座1和同轴设置在阴极底座1上的阴极引杆2；定义：阴极引杆2的中心轴为中轴线；所述阴极底座1的外侧面由母线绕中轴线周向旋转一圈形成；所述母线包括依次连接的第一圆弧段101、第一直线段102、第二直线段103、第三直线段104、第四直线段105、第二圆弧段106、第三圆弧段107、第五直线段108及第六直线段109；所述第一圆弧段101的一端与阴极引杆2的底端边缘线相接，并向远离中轴线且远离阴极引杆2的方向延伸；所述第一直线段102沿轴向且远离阴极引杆2的方向延伸；所述第二直线段103沿径向且远离中轴线的方向延伸；所述第三直线段104沿轴向且靠近阴极引杆2的方向延伸；所述第四直线段105沿径向且靠近中轴线的方向延伸；所述第二圆弧段106向远离中轴线且靠近阴极引杆2的方向延伸；所述第三圆弧段107向远离中轴线且远离阴极引杆2的方向延伸；第五直线段108沿轴向且远离阴极引杆2的方向延伸；第六直线段109沿径向且靠近中轴线的方向延伸，第六直线段109的末端与中轴线相交；所述第一直线段102、第二直线段103、第三直线段104及第四直线段105周向旋转形成的各个平面组成电子束收集环腔，所述电子束收集环腔具有朝向阴极引杆2的电子束入口，用于收集回流电子束3；所述第二直线段103周向旋转形成的平面为电子束收集面；所述第一圆弧段101的半径为R1，第二圆弧段106的半径为R2，R1和R2满足：0.5R3≤R2≤0.7R3，R1＝R02-R01，其中，R01为阴极引杆2的半径，R02为第一直线段102到中轴线的距离，R3为第三圆弧段107的半径；所述第二直线段103的长度的L2，第三直线段104的长度为L3，L2和L3的长度满足：R2＜L3≤3R3，L2＝L6-R3-R02，其中，L6为第六直线段109的长度；所述第一直线段102到中轴线的距离R02满足：R01＜R02≤2R01。

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权利要求：

百度查询： 西北核技术研究所 无箔二极管中抑制电子发射的阴极结构及高功率微波系统

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