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【发明授权】优化崩落体形态降低无底柱分段崩落法损失贫化的方法_北京科技大学_202211625534.4 

申请/专利权人:北京科技大学

申请日:2022-12-16

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN115839239B

主分类号:E21C41/16

分类号:E21C41/16;F42D3/04

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.11#授权;2023.04.11#实质审查的生效;2023.03.24#公开

摘要:本发明公开一种优化崩落体形态降低无底柱分段崩落法损失贫化的方法,属于采矿技术领域。该方法通过设定扇形炮孔折线形排列、中部区段炮孔高密度装药以及一定的起爆顺序,改变崩落体形态。同一崩矿步距内布置两排与进路中线对称的炮孔,每排首个炮孔布置在进路中线处且距离自由面最近,其余炮孔向进路两侧沿退采方向依次排列,崩矿步距内待崩落岩体中部区域以高于其余范围10%~15%的装药量进行高密度装药作业。爆破时,采用微差爆破方式,前排首个炮孔先起爆,后方炮孔依次起爆,落矿后改变了每次爆破落矿后形成的崩落体形态,使之高度接近放出体形态,达到降低矿石损失贫化的目的。

主权项:1.一种优化崩落体形态降低无底柱分段崩落法损失贫化的方法,其特征在于,包括步骤如下:S1、在指定区域布置至少两排扇形炮孔,其中,每排扇形炮孔呈折线形排列设置;S2、对高密度装药区E进行装药,包括:高密度装药区E为:以0.5个分段高度处为中心,自高于所述中心3m位置处至低于所述中心3m位置处之间的区域;设置在第一部分的炮孔装药为Y,设置在第二部分的炮孔装药为X,其中,(1+10%)X≤Y≤(1+15%)X,第一部分的炮孔为位于所述高密度装药区E范围内的前排炮孔A和后排炮孔B,第二部分的炮孔为位于所述高密度装药区E范围外的前排炮孔A和后排炮孔B;S3、确定炮孔的起爆顺序;所述S1的布置扇形炮孔呈折线形排列包括:在同一崩矿步距内,在进路D上方及两侧的待崩落矿体F上分别布置前排炮孔A和后排炮孔B,前排炮孔A和后排炮孔B均有N个,其中,将首个前排炮孔A记作前排炮孔A1,将最后一个前排炮孔A记作前排炮孔AN,将首个后排炮孔B记作后排炮孔B1,将最后一个后排炮孔B记作后排炮孔BN;所述前排炮孔A1顶部距交界面M距离为0.5个崩矿步距,除前排炮孔A1的其余前排炮孔A依次由进路D中心向两侧布置,其中,所述进路D两侧的最后两个前排炮孔A顶部距离交界面M距离为1个崩矿步距;所述后排炮孔B沿进路退采方向在前排炮孔A后方布置,所述后排炮孔B与前排炮孔A保持距离,所述后排炮孔B1顶部距交界面M距离为0.5个崩矿步距,除后排炮孔B1的其余后排炮孔B依次由进路D中心向两侧布置,其中,所述进路D两侧的最后两个后排炮孔B顶部距离交界面M距离为1个崩矿步距;其中,所述交界面M为废石C与待崩落矿体F交界面,待崩落矿体F顶部为废石C;所述S3的确定起爆顺序包括:确定爆破方式,所述爆破方式为微差爆破方式,微差间隔时间为20ms;确定爆破顺序,所述爆破顺序包括:S31、前排炮孔A爆破:所述前排炮孔A以废石C与待崩落矿体F交界面为自由面最先起爆,其中,在前排炮孔A中,所述前排炮孔A1先起爆,进路D两侧的最后两个前排炮孔A最后起爆,所述前排炮孔A1与所述进路D两侧的最后两个前排炮孔A之间的前排炮孔A按照位置顺序依次起爆,位置顺序为自前排炮孔A1至所述进路D两侧的最后两个前排炮孔A的方向,其中,相对于进路D中心两侧对称的前排炮孔A同时起爆;S32、后排炮孔B爆破:所述后排炮孔B以所述前排炮孔A爆破后形成的矿石松动区为爆破补偿空间进行爆破,其中,在后排炮孔B中,所述后排炮孔B1先起爆,进路D两侧的最后两个后排炮孔B最后起爆,所述后排炮孔B1与所述进路D两侧的最后两个后排炮孔B之间的后排炮孔B按照位置顺序依次起爆,位置顺序为自后排炮孔B1至所述进路D两侧的最后两个后排炮孔B的方向,其中,相对于进路D中心两侧对称的后排炮孔B同时起爆。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京科技大学 优化崩落体形态降低无底柱分段崩落法损失贫化的方法

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