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【发明授权】晶格工程碳和它们的化学官能化_迪金森公司_201880069707.4 

申请/专利权人:迪金森公司

申请日:2018-10-23

公开(公告)日:2024-06-11

公开(公告)号:CN111278768B

主分类号:C01B32/186

分类号:C01B32/186;C01B32/18;C01B32/205;B82Y40/00

优先权:["20171024 US 62/576,433"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.11#授权;2020.09.29#实质审查的生效;2020.06.12#公开

摘要:一种化学官能化的碳晶格,其通过包括在反应器中加热碳晶格核到室温至1500℃的温度的方法形成。该方法还可以包括将所述碳晶格核暴露于含碳气体,以将所述含碳气体中的碳原子吸附到碳晶格核的边缘上;使所吸附的碳原子在多原子环中彼此共价键合,一部分多原子环包含非六边形环;在一个或多个从碳晶格核延伸出的新的晶格区域中使所述多原子环彼此共价键合,从而形成合并所述非六边形环的工程晶格;将所述工程晶格的一部分暴露于一种或多种化学物质,以使官能团和分子中的至少一种与所述工程晶格键合。

主权项:1.一种制备化学官能化的碳晶格的方法,包括:在300-1100℃的第一温度下,通过模板导向的化学气相沉积在模板颗粒周围形成碳壳,所述模板颗粒包括金属氧化物和或无机盐,所述化学气相沉积包括sp2杂化的碳晶格的自催化生长,所述sp2杂化的碳晶格包括非六边形环,所述碳壳具有多层结构并且满足如下特征:在532nm拉曼光谱中显示出:1300cm-1和1345cm-1之间的未拟合的D峰;1580cm-1和1612cm-1之间的未拟合的G峰;I2DIG峰强度比至多为1.0;IDIG峰强度比至多为2.0;通过XRD测试得到的XRD衍射图具有对应层间d-间距在之间的峰值衍射角;从所述碳壳中提取所述模板颗粒;将所述碳壳的表面暴露于官能化试剂以形成官能团,所述官能团以共价键的方式结合到所述碳壳的表面,所述碳壳的表面包括暴露的石墨烯晶格的外侧。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 迪金森公司 晶格工程碳和它们的化学官能化

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