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申请/专利权人：弘元新材料(包头)有限公司

摘要：本发明公开了一种直拉单晶的自动熔接方法，本发明涉及直拉单晶的技术领域，包括以下操作步骤：S1：降籽晶的熔接过程监控：对降籽晶的下降速度和电压进行监控，其中降籽晶表晶体的下降速度为800mmmin；S2：降籽晶的温度和电压的判断处理；S3：熔接的正常与否的判断；S4：降籽晶晶体熔断的判断。本发明所述的一种直拉单晶的自动熔接方法，此方法可以通过监控降籽晶与液面接触的电压、液面温度与直径的捕捉，实现自动化降籽晶的熔接工作，且整体过程全自动，无需工作人员进行跟踪处理，且不借助视觉系统判断即可实现降籽晶自动下降的熔接与过程温度控制逻辑，能有效提高整个直拉单晶的生产效率，同时其提高的效果显著。

主权项：1.一种直拉单晶的自动熔接方法，其特征在于：所述包括以下操作步骤：S1：降籽晶的监控：对降籽晶的下降速度和电压进行监控，其中降籽晶表晶体的下降速度为800mmmin，电压为降籽晶下降时与液面的接触电压；S2：判断处理：判断降籽晶与液面的接触电压是否＜1V，若＜1V，则判断液温是否在熔接的温度范围内，若为熔接的温度范围内，则降低降籽晶的下降速度，降为55mmh以下，当降至接触液面以下后，降籽晶再下降5mm，若不在熔接的温度范围内，则降籽晶的移动停止并降低降籽晶的下降速度，降为55mmh以下，当降至接触液面以下后，降籽晶再下降5mm；若＞1，则将降籽晶下降至设定的位置，并判断液温是否在熔接的温度范围内，若为熔接的温度范围内则降低降籽晶的下降速度，降为55mmh以下，当降至接触液面以下后，降籽晶再下降5mm，若不在熔接的温度范围内，则降籽晶停止下降，将液温自动调节至熔接的温度范围内，并将降籽晶下降速度降为55mmh以下，当降至接触液面以下后，降籽晶再下降5mm；S3：熔接的判断：对降籽晶的熔接直径进行判断，若＞12mm，则降籽晶停止下降进行过热的判断，待降籽晶的直径稳定后，判断降籽晶的直径是否缩径0.4mm，若缩径0.4mm则过热完成，若缩径不为0.4mm，则等待七分钟，再将缩径0.4mm速度下降至500mmh进行下降熔接工作，熔接完成后再次判断熔接直径是否＞12mm，若＞12mm，则降籽晶停止下降进行过热的判断，待降籽晶的直径稳定后，判断降籽晶的直径是否缩径0.4mm，若缩径0.4mm则过热完成；若降籽晶的直径＜12mm，则将降籽晶的下降速度降至500mmh进行熔接工作，熔接时判断降籽晶的熔接直径是否＞12mm，若＞12mm，则降籽晶停止下降进行过热的判断，待降籽晶的直径稳定后，判断降籽晶的直径是否缩径0.4mm，若缩径0.4mm则过热完成，若缩径不为0.4mm，则等待七分钟，再将降籽晶速度下降至500mmh进行下降熔接工作，熔接完成后再次判断熔接直径是否＞12mm，若＞12mm，则降籽晶停止下降进行过热的判断，待降籽晶的直径稳定后，判断降籽晶的直径是否缩径0.4mm，若缩径0.4mm则过热完成，若缩径不为0.4mm，则等待七分钟，再将降籽晶的速度下降至500mmh进行下降熔接工作，熔接完成后再次判断熔接直径是否＞12mm，若＞12mm，则降籽晶停止下降再次进行过热的判断，若缩径为0.4mm，则过热完成；S4：降籽晶晶体熔断的判断：步骤S1中，若降籽晶的晶体快速上提14mm后，对液温进行监控，判断液温是否在温度范围内，若在温度范围内，则将降籽晶晶体的速度降速至55mmh以下进行熔接工作，检测液温接触的电压是否＜1V，同时降籽晶晶体下降5mm，若＜1V则判断降籽晶没有出现熔断现象，此时继续进行降籽晶的熔接工作，若＞1V，则判断降籽晶出现熔断现象，则再次将降籽晶的晶体快速上提14mm后，对液温进行监控，判断液温是否在温度范围内，若在温度范围内，则将降籽晶晶体的速度降速至55mmh以下进行熔接工作，并再次检测液温接触的电压是否＜1V，重复上述步骤直至电压＜1V后，即可进行降籽晶的熔接工作。

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