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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET由于沟槽栅氧底部拐角的界面电场集中，以及栅氧的高界面态，导致器件在运行过程中栅氧层易产生击穿失效，大幅影响着器件的使用可靠性。本发明在沟槽栅氧底部设有一层浓度较浅的N‑区，这层浅N‑区完全将沟槽底部包裹，帮助PN结在沟槽栅氧底部进行耗尽，避免了电场集中，从而降低了器件沟槽栅氧的击穿失效概率，提高器件可靠性。根据仿真验证，本发明结构将原本聚集于沟槽栅氧底部拐角的电场转移到了浅N‑区，最大场强数值也降低了近60%。
主权项：1.一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在N+衬底（1）上外延生长形成N-漂移层（2）；S200，在N-漂移层（2）上外延生长形成浅N-外延层；S300，在浅N-外延层通过刻蚀形成浅N-区（3）；S400，在N-漂移层（2）上外延生长形成覆盖浅N-区（3）的N-外延层（4）；S500，在N-外延层（4）上刻蚀形成延伸至浅N-区（3）内的沟槽区（5）；S600，通过Al离子注入在N-外延层（4）上形成PW区（6）；S700，通过N离子注入在PW区（6）顶部形成NP区（7）；S800，通过Al离子注入在NP区（7）上形成延伸至PW区（6）内的PP区（8）；S900，在沟槽区（5）内通过干氧生长形成栅氧层（9）；S1000，在沟槽区（5）中淀积多晶硅形成Poly层（10），作为器件的栅电极引出；S1100，在沟槽区（5）顶部通过淀积氧化物形成与NP区（7）连接的隔离介质层（11），隔离器件的栅极和源级；S1200，在N-外延层（4）上形成用于欧姆接触的金属层，之后通过退火，使金属与碳化硅合金化，形成欧姆接触合金层（12）；S1300，在隔离介质层（11）和欧姆接触合金层（12）上通过金属溅射方式形成正面电极金属（13），作为源电极引出。
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权利要求：
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