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申请/专利权人：细美事有限公司
申请日：2023-12-04
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197891A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：["20221213 KR 10-2022-0174188"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本公开涉及一种基底处理设备和一种基底处理方法，其中，所述基底处理设备包括：等离子体空间；处理空间；第一气体供应器，配置为将第一源气体供应到所述等离子体空间；以及第二气体供应器，配置为将第二工艺气体供应到所述处理空间。所述第一源气体供应用于在所述处理空间中蚀刻第一蚀刻目标层的第一工艺气体。所述第二工艺气体在所述处理空间中蚀刻第二蚀刻目标层。所述第一气体供应器和所述第二气体供应器彼此分离。
主权项：1.一种基底处理设备，包括：等离子体空间；处理空间；第一气体供应器，配置为将第一源气体供应到所述等离子体空间；以及第二气体供应器，配置为将第二工艺气体供应到所述处理空间，其中，所述第一源气体供应用于在所述处理空间中蚀刻第一蚀刻目标层的第一工艺气体，所述第二工艺气体在所述处理空间中蚀刻第二蚀刻目标层，并且所述第一气体供应器和所述第二气体供应器彼此分离。
全文数据：
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