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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法，该芯片主要由薄膜铌酸锂谐振腔、输入锥形波导、耦合光波导、输出锥形波导、薄膜铌酸锂调制光波导、薄膜铌酸锂调制光波导输入端、薄膜铌酸锂调制光波导输出端、薄膜铌酸锂传输光波导、调制器电极、谐振腔调制电极、键合层、衬底等构成。本发明在同一芯片上实现了光信号的调制、谐振、二次调谐，适用于光电振荡器等多功能集成芯片。
主权项：1.一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片，其特征在于，包括薄膜铌酸锂谐振腔8、输入锥形波导5、耦合光波导6、输出锥形波导10、薄膜铌酸锂调制光波导2、薄膜铌酸锂调制光波导输入端1、薄膜铌酸锂调制光波导输出端4、薄膜铌酸锂传输光波导11、调制器电极3、谐振腔调制电极7、键合层9和衬底12；其中，所述薄膜铌酸锂谐振腔8、耦合光波导6、薄膜铌酸锂调制光波导2、薄膜铌酸锂光波导输入端1、薄膜铌酸锂光波导输出端4、薄膜铌酸锂传输光波导11位于键合层9之上，输入锥形波导5、输出锥形波导10分别位于薄膜铌酸锂调制光波导输出端4、薄膜铌酸锂调制传输光波导11之上，耦合光波导6位于薄膜铌酸锂谐振腔8一侧；输入光信号通过薄膜铌酸锂调制光波导输入端1进入芯片，在薄膜铌酸锂调制光波导2中经调制器电极3对其中传输的光信号进行调制，然后经薄膜铌酸锂调制光波导输出端4通过倏逝波耦合机制耦合进入输入锥形波导5，再经耦合光波导6进入薄膜铌酸锂谐振腔8进行传输谐振，谐振过程通过谐振腔调制电极7进行调谐，输出光信号经耦合光波到输出端垂直耦合进入输出锥形波导10，实现光信号输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种高Q值异质集成可调制谐振腔芯片及其工艺实现方法
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