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申请/专利权人：浙江美晶新材料股份有限公司
申请日：2024-05-15
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186567A
主分类号：C30B15/10
分类号：C30B15/10;C30B29/06;C03B20/00;C03C3/06;C03C3/076
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用，属于坩埚技术领域。该石英坩埚包括由外至内依次设置的气泡层、单质硅掺杂层和透明层；单质硅掺杂层的制备原料包括第一石英砂和单质硅粉末；单质硅粉末在单质硅掺杂层的制备原料中的质量百分数不超过15%。通过在气泡层和透明层之间设置单质硅掺杂层，可提升坩埚在单晶硅拉制过程中的耐高温能力和抗形变能力，有利于延长坩埚使用时间，此外，其还可提升拉单晶硅过程中的温度均匀性，提高保温效果和热能利用效率。
主权项：1.一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚，其特征在于，所述石英坩埚包括由外至内依次设置的气泡层、单质硅掺杂层和透明层；所述单质硅掺杂层的制备原料包括第一石英砂和单质硅粉末；所述单质硅粉末在所述单质硅掺杂层的制备原料中的质量百分数不超过15%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江美晶新材料股份有限公司 一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用
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