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申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日：2022-12-14
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198054A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种静电放电保护装置，该静电放电保护装置包括半导体基板、外延层、第一至第三井区、以及第一至第六掺杂区。外延层位于半导体基板上。第一至第三井区皆设置在外延层中。第三井区位于第一井区与第二井区之间。第一与第二掺杂区设置在第一井区上。第三与第四掺杂区设置在第二井区上。第五掺杂区设置在第三井区上，且第六掺杂区设置在第五掺杂区中。第三井区、第五掺杂区、以及第六掺杂区具有相同的导电类型。第一与第二掺杂区耦接一接合垫，以及第三与第四掺杂区耦接一接地端。当在接合垫上发生一静电放电事件时，在接合垫与接地端之间形成一放电路径。
主权项：1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一第一导电类型；一外延层，位于该半导体基板上，其中，该外延层具有该第一导电类型；一第一井区，设置在该外延层中，其中，该第一井区具有该第一导电类型；一第二井区，设置在该外延层中，其中，该第二井区具有该第一导电类型；一第三井区，设置在该外延层中，且位于该第一井区与该第二井区之间，其中，该第三井区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型；一第一掺杂区，设置在该第一井区上，其中，该第一掺杂区具有该第一导电类型；一第二掺杂区，设置在该第一井区上，其中，该第二掺杂区具有该第二导电类型；一第三掺杂区，设置在该第二井区上，其中，该第三掺杂区具有该第一导电类型；一第四掺杂区，设置在该第二井区上，其中，该第四掺杂区具有该第二导电类型；一第五掺杂区，设置在该第三井区上，其中，该第五掺杂区具有该第二导电类型；一第六掺杂区，设置在该第五掺杂区中，其中，该第六掺杂区具有该第二导电类型；其中，该第一掺杂区与该第二掺杂区耦接一接合垫，以及该第三掺杂区与该第四掺杂区耦接一接地端；以及其中，当在该接合垫上发生一静电放电事件时，在该接合垫与该接地端之间形成一放电路径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 静电放电保护装置
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