申请/专利权人:山东理工大学
申请日:2024-03-15
公开(公告)日:2024-06-14
公开(公告)号:CN118183616A
主分类号:B81C1/00
分类号:B81C1/00;B82B3/00;B82Y40/00
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.14#公开
摘要:本发明属于纳米材料制备技术领域,具体的涉及一种直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法。所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法,首先将纳米线封装在微乳液形成的球形胶体内,并向微乳液施加直流电场,通过对电极形状的图案化设计,改变反应环境中的电场线方向,控制球形胶体及其内部纳米线的受力情况,进而调整纳米线的排列形式,通过蒸发有机溶剂,使得纳米线在基底有序堆积,最终得到图案化纳米线阵列。本发明所述的直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法,操作简单、成本低廉,避免了纳米线在基底缓慢生长的环节,并且减少了对反应环境的控制难度,适用于纳米线阵列的大规模量产。
主权项:1.一种直流电场诱导制备图案化纳米线阵列的方法,其特征在于:由以下步骤组成:1根据需要制备的图案化纳米线阵列的样式,设计并加工图案化ITO玻璃作为电极及基底;2将纳米线、水、有机溶剂、表面活性剂以及助表面活性剂进行混合并乳化,形成微乳液;3将两片ITO玻璃置于微乳液中,导电一侧面对面平行放置构成平行平板电极,并向电极之间加载直流电;4对步骤2制备的微乳液进行恒温蒸发,直至有机溶剂蒸发完毕,取出图案化ITO玻璃并用去离子水清洗、烘干;5使用显影液对ITO玻璃上剩余的光刻胶进行去除,并用氮气吹干后得到图案化纳米线阵列。
全文数据:
权利要求:
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