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申请/专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司
摘要：本公开涉及图像采集设备。一种图像传感器包括形成在半导体衬底内部和顶部上的光电检测像素。互连网络覆盖半导体衬底的表面。互连网络包括通过其下表面与光电检测像素接触的导电过孔的层级。导电过孔由掺杂的多晶硅制成，并且在其下表面侧具有比在其上表面侧重的掺杂。
主权项：1.一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底内部和顶部上的光电检测像素；以及在所述半导体衬底的表面之上的互连网络，所述互连网络包括导电过孔，其中所述导电过孔的下表面与所述光电检测像素电接触；其中每个导电过孔由掺杂的多晶硅制成；并且其中所述掺杂的多晶硅在所述导电过孔的所述下表面处具有相比于在所述导电过孔的上表面处更重的掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(克洛尔2)公司 图像采集设备
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