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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明提供一种碳化硅芯片的封装方法及封装结构。碳化硅芯片的封装方法包括：提供第一基板及碳化硅芯片，第一基板材料选自于硅和金刚石中的至少一种，且具有图案化电极层，电极层材料为铜、铝等，碳化硅芯片具有第一、第二表面，且分别具有第一、第二电极；将碳化硅芯片的第一表面键合至第一基板，第一电极与图案化电极层连接；提供第二基板，材料选自于硅和金刚石中的至少一种，第二基板内包括容置部及第一、第二导电插塞；将第二基板键合至第一基板及碳化硅芯片的第二表面，使碳化硅芯片置于容置部内，第一导电插塞与图案化电极层连接，第二导电插塞与第二电极连接。上述技术方案使芯片两表面电极通过第一、第二导电插塞完成重布线，工艺简单，热阻低。
主权项：1.一种碳化硅芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一基板及一碳化硅芯片，所述第一基板的材料选自于硅和金刚石中的至少一种，所述第一基板表面具有图案化电极层，所述图案化电极层材料选自于铜和铝中的至少一种，所述碳化硅芯片具有第一表面及第二表面，所述第一表面及所述第二表面分别具有第一电极及第二电极；将所述碳化硅芯片的第一表面键合至所述第一基板表面，使所述第一电极与所述图案化电极层电性连接；提供一第二基板，所述第二基板的材料选自于硅和金刚石中的至少一种，所述第二基板内包括用于容置所述碳化硅芯片的容置部，所述第二基板包括所述容置部外的第一导电插塞和及所述容置部内的第二导电插塞；将所述第二基板键合至所述第一基板表面及所述碳化硅芯片的第二表面，使所述碳化硅芯片置于所述容置部内，且所述第一导电插塞与所述图案化电极层电性连接，所述第二导电插塞与所述第二电极电性连接。
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