申请/专利权人：江苏上达半导体有限公司

申请日：2022-12-30

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN118201226A

主分类号：H05K3/06

分类号：H05K3/06;H05K3/24;H05K3/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.14#公开

摘要：本发明涉及一种封装基板精细厚铜线路成型方法，在一层纯铜箔上下表面各涂布一层感光且极性相反的光刻胶，对上表面光刻胶进行曝光、显影处理，在进行线路蚀刻时通过控制蚀刻反应保留一层超薄铜箔不进行蚀刻，然后剥离上表面的光刻胶后进行AOI线路检查。采用柔性聚酰亚胺材料与上表面铜线路进行热压合，使上表面形成的铜线路嵌入柔性聚酰亚胺材料中。对下表面的光刻胶进行曝光、显影处理，利用线路蚀刻成型时保留的超薄铜箔层提供的导通性进行电镀铜形成铜线路，然后剥离下表面的光刻胶，最后进行闪蚀，去除在第一次蚀刻时保留的超薄铜箔层形成厚铜线路并进行AOI线路检查，形成具有厚铜精细线路的柔性封装基板。

主权项：1.一种封装基板精细厚铜线路成型方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：在一层纯铜箔（1）的上下表面各涂布一层具备感光特性的光刻胶，其中上表面涂布正性光刻胶a（2），下表面涂布负性光刻胶b（3），下表面负性光刻胶b（3）的厚度相比上表面光刻胶a（2）偏厚；步骤2：对上表面的正性光刻胶a（2）进行曝光处理，曝光部分的正性光刻胶a（2）发生分解反应，从而将掩模板上的线路图案转移到正性光刻胶a（2）上，曝光完成后进行显影（4），利用显影液将发生分解反应的光刻胶去除，露出下面的铜层；步骤3：利用蚀刻液对上表面裸露的铜层进行线路蚀刻成型，在蚀刻时通过控制蚀刻反应条件保留一层超薄铜箔层（5）；步骤4：利用剥离液对上表面铜上的正性光刻胶a（2）进行剥离（6），形成一层铜线路；步骤5：对经过上述步骤形成的铜线路进行第一次AOI自动光学检查，扫描对比检测出产品线路缺陷；步骤6：利用柔性聚酰亚胺材料与上表面线路进行热压合，使上表面形成的铜线路嵌入柔性聚酰亚胺材料（7）中；步骤7：采用与上述步骤2中相同的掩模板对下表面的负性光刻胶b（3）进行曝光处理，曝光部分的负性光刻胶b（3）发生交联反应，从而将线路图案转移到负性光刻胶b（3）上，曝光完成后进行显影（4），利用有机显影液将未曝光部分的光刻胶去除，此时裸露的铜层图形与上表面线路蚀刻后的线路图形一致；步骤8：利用上述步骤3中在上表面线路蚀刻成型时保留的超薄铜箔提供导通性进行电镀铜（8），利用较厚的负性光刻胶b（3）层电镀形成铜线路；步骤9：利用有机剥离液对下表面铜线路间的负性光刻胶b（3）进行剥离（6）；步骤10：进行一次闪蚀（9），利用蚀刻液快速去除第一次蚀刻时保留的超薄铜箔，形成电气关系独立的铜线路，此时线路铜厚包含纯铜箔的厚度及电镀铜厚度；步骤11：最后对经过上述步骤形成的厚铜线路进行第二次AOI自动光学检查，扫描对比检测出产品线路缺陷，获得具备厚铜精细线路的柔性封装基板。

全文数据：

权利要求：

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