申请/专利权人：重庆胜普电子有限公司;南通大学

申请日：2021-07-13

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN113595522B

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本申请提供一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，包括如下步骤：S1刻蚀产生释放腔再热氧生长钝化层，S2淀积多晶硅牺牲层至充满释放腔，S3刻蚀移除释放腔外周部牺牲层再化学机械抛光工艺使硅片上表面，于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤。申请人通过热氧提供最低界面陷阱密度、最高品质因数的氧化层形成良好台阶覆盖的共性台阶覆盖层；还提供用多晶硅反刻法，淀积多晶硅牺牲层，刻蚀去除释放腔外的多晶硅，再化学机械抛光平坦化硅片的上表面；以更好地无损快速平坦化，意料之外得到很好平坦化效果，显著改善生长质量及台阶处覆盖性。及基于此提供高品质因数的氮化铝兰姆波谐振器。

主权项：1.一种氮化铝兰姆波谐振器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、刻蚀硅片（1）上表面产生中部内凹的释放腔（3），采用热氧方法在具有释放腔（3）的硅片上表面生长二氧化硅薄膜作为钝化层（2）；S2、使用低压化学气相沉积（LPCVD）方法于硅片（1）的上表面淀积材料为多晶硅的牺牲层（4）至充满具有钝化层（2）的释放腔（3），S3、再刻蚀方法移除释放腔（3）外周部的牺牲层（4）至露出钝化层（2），再使用化学机械抛光（CMP）方法平坦化硅片（1）的上表面；及于所述平坦化后的上表面制作谐振振子的步骤；所述制作谐振振子的步骤包括：S4、于所述平坦化后的上表面淀积氮化铝种子层（5），再淀积底电极材料层，再图案化形成底电极（6）；S5、在具有底电极（6）的硅片上表面淀积氮化铝压电层（7），在氮化铝压电层（7）上表面生长顶电极材料层再图案化剥离形成顶电极（8）；S6、刻蚀氮化铝压电层（7）至底电极（6）形成底电极开孔（9）；顶电极（8）、底电极开孔（9）分别沉积电极焊盘材料层，并分别剥离形成顶电极表面焊盘和底电极表面焊盘；S7、图案化氮化铝压电层（7），刻蚀形成若干释放槽（11）贯穿氮化铝压电层（7）与氮化铝种子层（5）至牺牲层（4），若干释放槽（11）围成的图形为预制备谐振振子区域；S8、通过释放槽（11）气相腐蚀清除释放腔（3）内的牺牲层（4）形成空气反射腔，释放谐振振子实现器件的制备。

全文数据：

权利要求：

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