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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN117912956B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：本发明提供了一种低阻平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一面外延生长形成阱区；淀积阻挡层，刻蚀，离子注入，形成体二极管区；对阻挡层以及阱区进行蚀刻，形成隔离区，在隔离区淀积形成隔离介质层；去除阻挡层，淀积与阱区掺杂浓度相同的横向导电通道区；刻蚀，离子注入，形成纵向导电通道区；刻蚀，离子注入，形成源区；去除阻挡层，淀积形成栅介质层；对阻挡层以及横向导电通道区进行刻蚀，进行金属淀积形成源极金属层；去除阻挡层，重新形成阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对通孔淀积金属，形成栅极金属层，使得功率器件的导通电阻进一步的降低。
主权项：1.一种低阻平面栅碳化硅MOSFET的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底的底面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一面外延生长形成阱区；步骤2、在阱区上方淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对通孔进行离子注入，形成体二极管区；步骤3、去除阻挡层，重新形成阻挡层，对阻挡层以及阱区进行蚀刻，形成隔离区，在隔离区淀积形成隔离介质层；步骤4、去除阻挡层，淀积与阱区掺杂浓度相同的横向导电通道区；步骤5、形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔对阱区进行离子注入，形成纵向导电通道区；步骤6、去除阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对横向导电通道区进行离子注入，形成源区；步骤7、去除阻挡层，淀积形成栅介质层；步骤8、重新形成阻挡层，对阻挡层以及横向导电通道区进行刻蚀形成源极金属区，进行金属淀积形成源极金属层；步骤9、去除阻挡层，重新形成阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，对通孔淀积金属，形成栅极金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种低阻平面栅碳化硅MOSFET的制造方法
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