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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻氧化硅膜的第一硅浓度。
主权项：1.一种基板处理方法，包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使所述磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻所述氧化硅膜的第一硅浓度，其中，在所述蚀刻工序中，从经过了所述第一时间间隔的时间点起，使所述磷酸处理液中的硅浓度为比所述第一硅浓度高的第二硅浓度，所述第二硅浓度为蚀刻所述氧化硅膜的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
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