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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
摘要：本申请提供一种相变存储器及其制作方法和存储系统，相变存储器包括：选通层；第一电极层，位于所述选通层上；相变存储层，位于所述第一电极层上；其中，所述第一电极层包括第一子电极层和第二子电极层，所述第一子电极层位于所述第二子电极层远离所述选通层的一侧，所述第一子电极层的刻蚀速率大于所述第二子电极层的刻蚀速率。本申请能够有效降低刻蚀工艺中相变存储层以及选通层的损伤。
主权项：1.一种相变存储器，其特征在于，包括：选通层；第一电极层，位于所述选通层上；相变存储层，位于所述第一电极层上；其中，所述第一电极层包括第一子电极层和第二子电极层，所述第一子电极层位于所述第二子电极层远离所述选通层的一侧，所述第一子电极层的刻蚀速率大于所述第二子电极层的刻蚀速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 相变存储器及其制作方法和存储系统
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