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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括衬底结构与存储单元。存储单元设置在衬底结构上。存储单元包括多个器件层、字线、第一接触窗与第二接触窗。多个器件层堆叠在衬底结构上。器件层包括半导体层、第一掺杂区、第二掺杂区、沟道区与电容器。第一掺杂区、第二掺杂区与沟道区设置在半导体层中。沟道区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。电容器包括第一电极层、第二电极层与介电层。介电层位于第一电极层与第二电极层之间。字线设置在沟道层的侧壁上。第一接触窗电性连接于多个第一掺杂区。第二接触窗电性连接于多个第二电极层。上述存储器结构可提升电容值与存储单元密度。
主权项：1.一种存储器结构，其特征在于，包括：衬底结构；以及存储单元，设置在所述衬底结构上，且包括：多个器件层，堆叠在所述衬底结构上，其中所述器件层包括：半导体层；第一掺杂区、第二掺杂区与沟道区，设置在所述半导体层中，其中所述沟道区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；以及电容器，设置在所述半导体层上，且包括第一电极层、第二电极层与介电层，其中所述介电层位于所述第一电极层与所述第二电极层之间：字线，设置在所述沟道层的侧壁上；第一接触窗，设置在多个所述器件层中，且电性连接于多个所述第一掺杂区；以及第二接触窗，设置在多个所述器件层中，且电性连接于多个所述第二电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 存储器结构及其制造方法
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