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申请/专利权人：深圳市昇维旭技术有限公司
申请日：2023-11-29
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN117406563B
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开
摘要：本申请属于半导体技术领域，揭示一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法、装置、电子设备、存储介质以及半导体的加工方法，该方案在对晶圆前层光刻完成后，获取晶圆的翘曲信息，并基于晶圆的翘曲信息计算目标套刻对准标记的位置偏移量，实现了精准定位目标套刻对准标记的位置信息。后续制程中可以利用该位置偏移量，具体可以是在对晶圆当层进行光刻处理时基于位置偏移量对晶圆当层的套刻对准标记位置进行补偿，从而降低套刻误差。并且，本申请无需改变原有的光刻工艺流程，没有物料的增加及改变。
主权项：1.一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法，其特征在于，包括：在对晶圆前层光刻完成后，获取所述晶圆的翘曲信息，所述晶圆的翘曲信息包括位于所述晶圆的翘曲位置与非翘曲位置之间的临界位置和多个采样点位置，其中，所述多个采样点沿所述晶圆的径向间距分布且位于所述临界位置与所述晶圆的边缘位置之间；获取目标套刻对准标记的基线位置，所述目标套刻对准标记为形成在所述晶圆前层的套刻对准标记；基于所述临界位置、所述多个采样点位置进行曲线拟合，获得对应的曲线函数；以所述临界位置与所述晶圆的中心位置的距离作为积分下限，以发生翘曲后所述目标套刻对准标记与所述晶圆的中心位置的实际距离作为积分上限，基于所述曲线函数构建弧长积分公式；将所述临界位置与所述目标套刻对准标记的基线位置的距离设定为弧长积分值；基于所述弧长积分值和所述弧长积分公式，获得所述翘曲信息下所述目标套刻对准标记与所述晶圆的中心位置的实际距离；将所述实际距离代入所述曲线函数，获得所述翘曲信息下所述目标套刻对准标记的实际位置；基于所述实际位置和所述基线位置获得位移矢量，作为所述目标套刻对准标记的位置偏移量；输出所述位置偏移量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市昇维旭技术有限公司 套刻对准标记的位置偏移量检测方法及半导体的加工方法
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