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申请/专利权人：延安大学
摘要：本申请涉及拉曼散射领域，具体提供了一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，该衬底包括基底层，基底层的一侧固定设置第一半导体层，第一半导体层远离基底层一侧固定设置有第二半导体层，第二半导体层的面积小于第一半导体层的面积，第一半导体层和第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于衬底的表面。本发明提供的衬底使用半导体异质结进行拉曼信号的增强。入射激光照射使得异质结半导体表面局部电场增强；异质结半导体界面处的内建电场促进电子空穴对的分离以及电子在异质结界面处的迁移，使得异质结半导体表面的电场强度增大，从而进一步提升拉曼信号的强度。因此，本申请衬底对拉曼信号的增强效果较好。
主权项：1.一种半导体异质结表面增强拉曼散射衬底，其特征在于，所述衬底包括基底层，所述基底层的一侧固定设置第一半导体层，所述第一半导体层远离所述基底层一侧固定设置有第二半导体层，所述第二半导体层的面积小于所述第一半导体层的面积，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料不同，探测时，待测分子置于所述衬底的表面；所述第二半导体层的材料的折射率小于所述第一半导体层的材料的折射率；所述第一半导体层的材料为二氧化钛，所述第二半导体层的材料为氧化锌；所述第一半导体层的厚度大于所述第二半导体层的厚度，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度均小于入射激光的入射深度；所述第二半导体层为块状阵列结构，相邻第二半导体块之间的间距相等，相邻所述第二半导体块之间形成局域空间；所述第一半导体层远离所述基底层一侧表面上设置有凹陷结构，所述凹陷结构设置于所述第一半导体层表面上未设置有所述第二半导体层处；所述凹陷结构的深度为所述第一半导体层厚度的三分之一到二分之一；所述凹陷结构的截面形状为内窄外宽的楔形。
全文数据：
权利要求：
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