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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日：2019-07-23
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112470279B
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146;H01L21/336;H01L29/78;H04N25/616;H04N25/78;H04N25/76;H04N25/75;H04N25/778
优先权：["20180730 JP 2018-142061"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.08.06#实质审查的生效;2021.03.09#公开
摘要：本技术涉及能够应对取决于电流流动方向的特性波动的固态摄像装置和电子设备。提供了一种固态摄像装置，其包括：像素阵列单元，像素阵列单元包括以二维形式布置的像素，像素具有光电转换单元，其中，像素的晶体管具有如下结构：其中，源极侧LDD区域中与栅极的下侧的重叠量不同于漏极侧LDD区域中与栅极的下侧的重叠量，并且源极侧LDD区域的接合深度不同于漏极侧LDD区域的接合深度。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
主权项：1.一种固态摄像装置，其包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括以二维形式布置的像素，所述像素具有光电转换单元，其中，所述像素的晶体管具有如下结构：其中，源极侧LDD区域中与栅极的下侧的重叠量不同于漏极侧LDD区域中与所述栅极的所述下侧的重叠量，并且所述源极侧LDD区域的接合深度不同于所述漏极侧LDD区域的接合深度，其中，所述源极侧LDD区域和形成所述源极的第一区域是n型区域，所述漏极侧LDD区域和形成所述漏极的第二区域是n型区域，并且所述漏极侧LDD区域具有如下结构：该结构与所述栅极的所述下侧的重叠量比所述源极侧LDD区域与所述栅极的所述下侧的重叠量少，并且该结构的接合深度比所述源极侧LDD区域的接合深度深。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 固态摄像装置和电子设备
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