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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2020-07-22
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN112599663B
主分类号：H10N70/20
分类号：H10N70/20;H10B63/00;H10B63/10
优先权：["20190917 KR 10-2019-0114181"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开
摘要：本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗Ge、砷As、硒Se和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗Ge、砷As、硒Se以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。
主权项：1.一种硫族化物材料，其为非晶态，包括：锗Ge、砷As、硒Se以及0.5at％至3at％的至少一种第13族元素，其中，锗Ge的浓度、砷As的浓度以及硒Se的浓度之和为97at％至99.5at％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 硫族化物材料、可变电阻存储器件和电子设备
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