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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构，包括：MOSFET和二极管；所述二极管与所述MOSFET并联设置，所述二极管通过第一金属层引出阳极，所述MOSFET通过第二金属层引出源极；通过监控所述二极管正向电压变化，探测MOSFET内部结温。
主权项：1.一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构，其特征在于，包括：MOSFET和二极管；所述二极管与所述MOSFET并联设置，所述二极管通过第一金属层引出阳极，所述MOSFET通过第二金属层引出源极；通过监控所述二极管正向电压变化，探测MOSFET内部结温；所述TrenchMOSFET包括：第一外延层、第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽和第二沟槽间隔设置在所述第一外延层上，所述第一沟槽和第二沟槽中填充有栅极多晶硅，所述第一沟槽穿过第一注入区抵达第一外延层，所述第二沟槽穿过第二注入区抵达第一外延层，所述第一沟槽和第二沟槽之间设置有第三注入区；部分所述第一注入区中设置有第四注入区，部分所述第二注入区中设置有第五注入区；且所述第四注入区设置在第一沟槽的一侧，所述第五注入区设置在第二沟槽的一侧；所述第四注入区中设置有第一接触孔，且所述第一接触孔穿过第四注入区抵达第一注入区，所述第一沟槽的另一侧设置有第二接触孔，所述第一接触孔和第二接触孔与第二金属层连接引出源极；所述第五注入区中设置有第三接触孔，且所述第三接触孔穿过第五注入区抵达第二注入区，所述第二沟槽的另一侧设置有第四接触孔，所述第三接触孔和第四接触孔与第二金属层连接引出源极；所述第三注入区中设置有第五接触孔，所述第五接触孔与所述第一金属层连接引出二极管阳极；所述第一注入区、第二注入区和第三注入区的掺杂类型为第一掺杂类型，所述第一外延层、第四注入区和第五注入区为第二掺杂类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构
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