龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型实施例涉及一种半导体装置。根据本实用新型的一些实施例，一种装置包含串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者包含：第一栅极结构；第一漏极源极区，其在所述第一栅极结构的一侧上；及第二漏极源极区，其在所述第一栅极结构的另一侧上。所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构经配置以接收偏压电压以对所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管加偏压且提供通过所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管的温度相依电阻以测量温度。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于其包括：串联电连接的第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者包含：第一栅极结构；第一漏极源极区，其在所述第一栅极结构的一侧上；及第二漏极源极区，其在所述第一栅极结构的另一侧上，其中所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一者的所述第一栅极结构经配置以接收偏压电压以对所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管加偏压且提供通过所述第一多个金属氧化物半导体场效应晶体管的温度相依电阻以测量温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号