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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，位于所述终端环区的最外围的第一沟槽及与最外围的第一沟槽相邻的第一沟槽的版图为圆弧状结构，减小了漏电风险。
主权项：1.一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，其特征在于，包括：元胞区和终端环区；所述元胞区与终端环区相邻设置；所述终端环区包括多个间隔设置的第一沟槽，位于所述终端环区的最外围的第一沟槽及与最外围的第一沟槽相邻的第一沟槽的拐角处为圆弧状结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图
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