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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2023-07-11
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215300A
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/27;H10B43/50;H10B41/50;H10B41/35;H10B41/27;H10B80/00
优先权：["20221216 US 63/433,120"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：提供了一种三维3D存储器装置和用于形成三维3D存储器装置的方法。3D存储器装置包括具有核心区域和非阵列区域的第一半导体结构。第一半导体结构包括：沟道结构的阵列，其位于核心区域中；衬底层，其从非阵列区域延伸到核心区域并且与沟道结构的阵列接触；绝缘结构，其包括沿横向方向从非阵列区域延伸到核心区域的第一部分以及沿竖直方向延伸穿过位于非阵列区域中的衬底层的第二部分，其中，绝缘结构的第二部分围绕核心区域；以及接触结构，其贯穿绝缘结构的第二部分，其中，接触结构通过绝缘结构与衬底层电绝缘。
主权项：1.一种三维3D存储器装置，包括：第一半导体结构，其具有核心区域和非阵列区域，所述第一半导体结构包括：沟道结构的阵列，其位于所述核心区域中；衬底层，其从所述非阵列区域延伸到所述核心区域并且与所述沟道结构的阵列接触；绝缘结构，其包括沿横向方向从所述非阵列区域延伸到所述核心区域的第一部分以及沿竖直方向延伸穿过位于所述非阵列区域中的所述衬底层的第二部分，其中，所述绝缘结构的所述第二部分围绕所述核心区域；以及接触结构，其贯穿所述绝缘结构的所述第二部分，其中，所述接触结构通过所述绝缘结构与所述衬底层电绝缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器装置和用于形成三维存储器装置的方法
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