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申请/专利权人：浙江宇芯集成电路有限公司
申请日：2023-12-27
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213271A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;G01N27/22;H01L21/3105
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种湿度敏感材料的图形制备工艺，包括步骤一、步骤二、步骤三、步骤四、步骤五、步骤六、步骤七、步骤八。本发明的一种湿度敏感材料的图形制备工艺，薄膜的工艺制备直接影响湿度传感器的精度和性能，在现有半导体设备的基础上，利用新型PI材料特点，完成了湿度敏感材料PI膜的图形化的工艺制备，有很强的实际操作性，并实现了量产。
主权项：1.一种湿度传感器材料的图形制备工艺，其特征在于：所述具体图形工艺制备流程如下所述：步骤一、先把高纯度的湿度敏感材料PI进行稀释调配，稀释比例为10％-15％，此时的PI材料的浓度刚好能达到台阶覆盖的流动性；纯度过高流动性差，台阶不能完全覆盖，纯度过低厚度和后续工艺中的参能不能达到要求；步骤二、使用半导体制造中的涂胶轨道，把PI材料均匀的布满整个芯片，轨道转速为1500转到4500转之间，对应的厚度为1um—2um之间，该厚度根据传感器芯片的实际参数需求进行调整；步骤三、对PI材料进行热处理，使用热板120度5分钟，增强PI材料和芯片之间的粘附性，形成更好的台阶覆；步骤四、PI膜上加涂普通感光性光刻胶,用上层光刻胶，做为下层PI膜的图形选择保护胶；步骤五、光刻机进行当层光刻版图形曝光，形成所需要的PI膜图形；步骤六、显影显开上层感光部分的普通光刻胶的同时继续利用PI胶能被显影液溶解的特性，继续向下腐蚀PI膜，形成PI膜的图形；步骤七、用EBR去除上层普通光刻胶，只留下已经形成图形的PI膜；步骤八、用烘箱对PI膜再次进行热处理，对PI膜进行加固并把膜中残留的溶剂挥发掉，形成所需要的微小的空洞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江宇芯集成电路有限公司 一种湿度敏感材料的图形制备工艺
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