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申请/专利权人：中芯维康医疗科技(重庆)有限责任公司
申请日：2024-01-29
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118209609A
主分类号：G01N27/327
分类号：G01N27/327;C08J9/26;C08L85/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及分子印迹电化学传感器领域，公开了一种利用芳基重氮盐接枝共聚制备分子印迹电化学传感器的方法，包括以下步骤：S1，配置芳基重氮盐溶液；S2，配制聚合液：将模板分子溶解于S1制得的芳基重氮盐溶液中，制得分子印迹聚合MIP溶液；S3，重氮化接枝反应：采用循环伏安法将S2中的分子印迹聚合MIP溶液沉积在电极基材的表面形成分子印迹膜，即聚合后的MIP电极；S4，对S3中聚合后的MIP电极进行洗脱，得到分子印迹电化学传感器。本发明的技术方案能够提高分子印迹电化学传感器的稳定性和重现性。
主权项：1.一种利用芳基重氮盐接枝共聚制备分子印迹电化学传感器的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，配置芳基重氮盐溶液：将0.0001g～0.01g苯胺衍生物和0.0001g～0.001g亚硝酸钠分别溶解于1molL的盐酸中，盐酸的体积为10～50mL，并使其在0～4℃下保持恒温，随后将亚硝酸钠溶液滴加至苯胺衍生物溶液中，使其在0～4℃下，反应30～35min，制得芳基重氮盐溶液；S2，配制聚合液：将模板分子溶解于S1制得的芳基重氮盐溶液中，制得分子印迹聚合MIP溶液，其中，模板分子的浓度为0.1～100mmolL；S3，重氮化接枝反应：采用循环伏安法将S2中的分子印迹聚合MIP溶液沉积在电极基材的表面形成分子印迹膜，即聚合后的MIP电极；S4，对S3中聚合后的MIP电极进行洗脱，得到分子印迹电化学传感器。
全文数据：
权利要求：
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