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申请/专利权人：晶科能源股份有限公司
申请日：2024-04-29
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118204916A
主分类号：B24C1/08
分类号：B24C1/08;B24C3/08;B24C3/12;B08B3/12;B08B3/08;B08B3/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种太阳能硅片磨洗装置及硅片磨洗方法，包括喷砂机构、超声机构、酸浸喷淋机构、喷淋漂洗机构和烘干机构；通过传输机构将硅片在各机构间水平传输，可适用于不同尺寸的硅片；喷砂机构中通过传输机构传输硅片，第一喷管组的第一喷嘴和第二喷嘴向硅片第一表面与第二表面喷射混合砂浆对硅片进行打磨，同时传输机构与硅片接触位置由于浸泡在混合砂浆内，也可利用摩擦作用对硅片打磨，喷砂打磨后的硅片继续由传输机构进行传输；喷砂机构对硅片表面进行平坦化洗磨，在清除硅片表面污染物的同时可以对表面进行合适深度的打磨，使得可清洗的硅片厚度兼容至100um以下，也不会增加碎片率。
主权项：1.一种硅片磨洗装置，其特征在于，包括喷砂机构、超声机构、酸浸喷淋机构、喷淋漂洗机构和烘干机构；还包括传输机构，所述传输机构贯穿所述喷砂机构、所述超声机构、所述酸浸喷淋机构、所述喷淋漂洗机构和所述烘干机构；硅片由所述传输机构传输于所述喷砂机构、所述超声机构、所述酸浸喷淋机构、所述喷淋漂洗机构和所述烘干机构之间；所述喷砂机构包括第一喷管组，其中，所述第一喷管组包括至少一组沿第一方向对称设置的第一喷嘴和第二喷嘴，所述第一方向垂直于所述硅片运行的方向，沿所述第一方向上，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴分别位于所述硅片的两侧，所述第一喷嘴和所述第二喷嘴分别向所述硅片的第一表面和第二表面喷淋混合砂浆；所述喷砂机构还包括砂浆槽，所述砂浆槽与所述喷淋漂洗机构连通，所述喷淋漂洗机构溢流排放的水流入所述砂浆槽，与所述砂浆槽内的砂子混合形成所述混合砂浆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶科能源股份有限公司 硅片磨洗装置及硅片磨洗方法
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