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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：一种半导体结构，该半导体结构包括接合到逻辑管芯的存储器管芯。该存储器管芯包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；位于该交替堆叠的远侧表面上的半导体材料层；位于该半导体材料层的远侧表面上的介电间隔物层；竖直延伸穿过该交替堆叠、穿过该半导体材料层并且至少部分地穿过该介电间隔物层的存储器开口填充结构；和位于该介电间隔物层的远侧表面上并且接触该竖直半导体沟道的嵌入在该介电间隔物层内的柱部分的源极层。
主权项：1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：存储器管芯，所述存储器管芯接合到逻辑管芯，所述存储器管芯包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；半导体材料层，所述半导体材料层位于所述交替堆叠的远侧表面上方，其中所述半导体材料层距所述逻辑管芯比所述交替堆叠距所述逻辑管芯更远；介电间隔物层，所述介电间隔物层位于所述半导体材料层的远侧表面上方；存储器开口，所述存储器开口竖直地延伸穿过所述交替堆叠、穿过所述半导体材料层并且至少部分地穿过所述介电间隔物层；存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于所述存储器开口中，其中所述存储器开口填充结构中的每一者包括介电核心、具有包围所述介电核心的中空部分和不包围所述介电核心的柱部分的竖直半导体沟道、和存储器膜；和源极层，所述源极层位于所述介电间隔物层的远侧表面上方并且接触所述竖直半导体沟道的所述柱部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包含沟道与源极之间的柱接触的三维存储器器件及其制造方法
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