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一种石英坩埚及其制备方法与应用 

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申请/专利权人:浙江美晶新材料股份有限公司

摘要:本发明公开了一种石英坩埚及其制备方法与应用,属于单晶硅制造设备技术领域。该石英坩埚的制备包括:采用等离子体增强化学气相沉积方式,于石英坩埚本体的外表面制备碳化硅保护层;制备条件包括:射频功率为100W~200W,腔体温度为460℃~520℃,腔体压强为50Pa~100Pa,沉积时间为20min~6160min;工作气体包括甲烷和硅烷,其中,甲烷的流量为20sccm~40sccm,硅烷的流量为20sccm~50sccm。该方法能够在石英坩埚本体的外表面制备出高纯度、高致密度以及高附着力的碳化硅涂层,具有上述碳化硅涂层的石英坩埚在长时间拉晶时能够保证起形状不塌陷,同时有效阻止反应气体引起的鼓包。

主权项:1.一种石英坩埚的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:采用等离子体增强化学气相沉积方式,于石英坩埚本体的外表面制备碳化硅保护层;所述碳化硅保护层的制备条件包括:射频功率为100W~200W,腔体温度为460℃~520℃,腔体压强为50Pa~100Pa,沉积总时间为20min~6160min;工作气体包括甲烷和硅烷,其中,甲烷的流量为20sccm~40sccm,硅烷的流量为20sccm~50sccm。

全文数据:

权利要求:

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