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申请/专利权人:索尼半导体解决方案公司
摘要:本公开的实施方式的高频集成电路1包括:高频电路10、电连接至高频电路的端子20、设置在端子和参考电位线之间的第一晶体管M1、以及设置在端子和参考电位线之间的第二晶体管M2。第一晶体管具有电连接到端子的栅极G和漏极D、以及电连接到参考电位线的源极S。第二晶体管具有电连接到端子的源极S、以及电连接到参考电位线的栅极G和漏极D。
主权项:1.一种高频集成电路,包括:高频电路;端子,电连接至所述高频电路;第一晶体管,设置在所述端子与参考电位线之间;以及第二晶体管,设置在所述端子与所述参考电位线之间,其中,所述第一晶体管包括电连接至所述端子的栅极和漏极、以及电连接至所述参考电位线的源极,并且所述第二晶体管包括电连接至所述端子的源极、以及电连接至所述参考电位线的栅极和漏极。
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百度查询: 索尼半导体解决方案公司 高频集成电路及电子设备
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