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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-10-15
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN111383687B
主分类号：G11C13/00
分类号：G11C13/00
优先权：["20181231 KR 10-2018-0173853"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2020.07.07#公开
摘要：提供一种电阻式存储器装置及其编程方法。在一些示例实施例中，编程脉冲被施加到电阻式存储器单元，并且多个后脉冲在从编程脉冲的施加完成时的时间点起的弛豫时间之后的时间点被施加到电阻式存储器单元，所述多个后脉冲具有顺序增大的电压电平。电阻式存储器装置的编程速度和或性能可以通过使用具有顺序增大的电压电平的所述多个后脉冲加速电阻式存储器单元的电阻漂移来得以提高。
主权项：1.一种电阻式存储器装置的编程方法，所述编程方法包括：向电阻式存储器单元施加编程脉冲；以及在从编程脉冲的施加完成时的时间点起的弛豫时间之后的时间点，向电阻式存储器单元施加多个后脉冲，所述多个后脉冲具有顺序增大的电压电平，其中，弛豫时间基于在施加编程脉冲之后电阻式存储器单元被冷却到复位状态或设置状态的冷却时间来确定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 电阻式存储器装置及其编程方法
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