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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2018-11-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234226A
主分类号：H10B41/27
分类号：H10B41/27;H10B41/30;H10B41/40;H10B43/27;H10B43/30;H10B43/40
优先权：["20181115 US 16/192,462"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及包括存储器单元的存储器阵列。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极漏极区和第二源极漏极区。所述第一源极漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极漏极区耦合的电容器。公开了其它实施例。
主权项：1.一种存储器阵列，其包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括晶体管及与所述晶体管耦合的电容器，所述晶体管包括栅极区、第一源极漏极区、第二源极漏极区以及所述第一源极漏极区和所述第二源极漏极区之间的沟道区；所述电容器具有内电极且具有通过绝缘材料与所述内电极隔开的外电极；及在竖直方向上延伸的导电结构，所述内电极和所述外电极中的每一者经配置为围绕所述导电结构的环，所述外电极沿着所述内电极的顶部表面、底部表面和外部横向表面，且与所述第二源极漏极区直接耦合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 包括存储器单元的存储器阵列
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