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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日：2022-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118230781A
主分类号：G11C11/16
分类号：G11C11/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及磁旋存储领域，特别是涉及一种磁性随机存储阵列，包括供能电源、位线及多个位元；所述位元包括MTJ单元及电连接结构；所述MTJ单元通过所述电连接结构与其他元件相连；单条所述位线依次连接多个所述位元；所述电连接结构的补偿电阻值随对应的位元沿所述位线到所述供能电源的距离的增加而降低。本发明中根据所述MTJ单元沿所述位线到所述供能电源的距离，为对应的电连接结构引入不同的补偿电阻，使不同位置的MTJ单元与所述供能电源之间的总电阻趋于一致，进而提升不同位置的位元的擦写次数的一致性，提升磁性随机存储阵列的寿命，同时，本发明的技术方案无需增加其他辅助电路，方法简单，工艺实现难度低，且具有更强的泛用性。
主权项：1.一种磁性随机存储阵列，其特征在于，包括供能电源、位线及多个位元；所述位元包括MTJ单元及电连接结构；所述MTJ单元通过所述电连接结构与其他元件相连；单条所述位线依次连接多个所述位元；所述电连接结构的补偿电阻值随对应的位元沿所述位线到所述供能电源的距离的增加而降低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种磁性随机存储阵列
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