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申请/专利权人：宁夏润阳硅材料科技有限公司
摘要：本申请涉及一种多晶硅生产伴生二硅原料化利用方法及系统，通过塔侧级连四个分离塔在逐级对氢化氯硅烷除杂的同时，还能够实现氢化氯硅烷中DCS、TCS和STC的分离，且通过第五分离塔对混合物A进一步分离，避免因原料TCS中含有少量DCS或者因原料DCS中含有少量TCS干扰计算结果，从而能够使得精准控制原料TCS与原料DCS的配比，避免出现误差而影响还原工艺的稳定性，同时，将氢化氯硅烷通过本申请公开的多级分离方法得到的原料DCS代替现有技术中外购而来的DCS，能够减少降低购买成本及运输成本，有利于降低多晶硅生产成本，还能够避免因需要外购DCS而存在运输过程中安全性差、容易发生安全事故的问题。
主权项：1.一种多晶硅生产伴生二硅原料化利用方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.分离系统（200）包括通过塔侧依次相连的第一分离塔（210）、第二分离塔（220）、第三分离塔（230）和第四分离塔（240），将氢化氯硅烷通入所述第一分离塔（210），四个所述分离塔将所述氢化氯硅烷中的轻组分从塔顶排出，中组分从塔侧排出，重组分从塔底排出，从所述第四分离塔（240）的塔侧采出第一TCS，从四个所述分离塔中至少一者的塔顶采出混合物A；S20.将所述混合物A通入第五分离塔（300），所述第五分离塔（300）可将所述混合物A的轻组分从塔顶排出，重组分从塔底排出，从第五分离塔（300）的塔顶、塔底分别采出原料DCS、第二TCS；将所述原料DCS通过专项吸附剂吸附除硼，所述原料DCS中硼杂质的含量小于80ppb；S30.所述第一TCS和所述第二TCS混合为原料TCS，将所述原料TCS和所述原料DCS按照100∶2.8至100∶3.3的比例混合作为还原工艺用原料进入还原炉进行还原反应制备多晶硅，所述还原工艺用原料中硼杂质的含量小于160ppb。
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权利要求：
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