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晶圆结构 

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申请/专利权人:研能科技股份有限公司

摘要:一种晶圆结构,包含:一芯片基板;至少一个喷墨芯片,包含多个墨滴产生器;每一该墨滴产生器,进一步包含一热障层、一加热电阻层、一保护层,而该热障层形成于该芯片基板上,该加热电阻层形成于该热障层上,而该保护层的一部分形成于该加热电阻层上,而该障壁层形成于该保护层上,且该供墨腔室底部连通该保护层,该供墨腔室顶部连通该喷孔,其中该热障层的厚度为该保护层的厚度为该加热电阻层的厚度为该加热电阻层的长度为5~30微米μm,该加热电阻层的宽度为5~10微米μm。

主权项:1.一种晶圆结构,包含:一芯片基板,为一硅基材,以半导体制程制出;至少一个喷墨芯片,以半导体制程制出直接生成于该芯片基板上,并切割成至少一个该喷墨芯片实施应用于喷墨打印;该至少一个喷墨芯片包含:多个墨滴产生器,以半导体制程制出生成于该芯片基板上,且每一该墨滴产生器包含一障壁层、一供墨腔室及一喷孔,而该供墨腔室及该喷孔一体成型生成于该障壁层中;至少一供墨流道,该供墨流道提供一墨水,该供墨流道连通每个墨滴产生器,其中该至少一供墨流道与该多个墨滴产生器中的每一该供墨腔室之间形成一供墨路径,且该供墨路径设置在一个平行于该供墨腔室底部的水平面上,以从该至少一供墨流道供应墨水到该供墨腔室;其中,每一该墨滴产生器,进一步包含一热障层、一加热电阻层、一导电层、一保护层,而该热障层形成于该芯片基板上,该加热电阻层形成于该热障层上,而该导电层及该保护层的一部分形成于该加热电阻层上,且该保护层的其他部分形成于该导电层上,而该障壁层形成于该保护层上,且该供墨腔室底部连通该保护层,该供墨腔室顶部连通该喷孔,其中该保护层未被该障壁层覆盖的部分形成该供墨腔室底部,其中该障壁层包含两个相对内侧壁,该两个相对内侧壁形成该供墨腔室两个相对侧,每一该障壁层的该两个相对内侧壁均位于该保护层上并各自朝向该喷孔连续延伸,该障壁层的该两个相对内侧壁完全地重迭于该导电层,该两个相对内侧壁垂直于该供墨腔室底部,该热障层的厚度范围为500~5000埃,该保护层的厚度范围为150~3500埃,该加热电阻层的厚度范围为100~500埃,该加热电阻层的长度范围为5~30微米,该加热电阻层的宽度范围为5~10微米。

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百度查询: 研能科技股份有限公司 晶圆结构

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