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申请/专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日：2022-01-26
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114398013B
主分类号：G06F3/06
分类号：G06F3/06;G06F11/10
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2022.05.13#实质审查的生效;2022.04.26#公开
摘要：本发明提供一种NAND存储器安全代码生成模块和生成方法、以及内置有该NAND存储器安全代码生成模块的NAND存储器，该NAND存储器安全代码生成模块包括：CAM信息读取单元，该CAM信息读取单元对所述NAND存储器中的CAM信息进行读取；寄存器值更新单元，该寄存器值更新单元针对所述CAM信息读取单元读取到的所述CAM信息，对与各个所述CAM信息相对应的寄存器值进行更新；CRC码生成单元，该CRC码生成单元利用由所述寄存器值更新单元更新后的所述寄存器值来生成CRC码；以及安全代码存储单元，该安全代码存储单元更新并存储由所述CRC码生成单元生成的CRC码。
主权项：1.一种NAND存储器安全代码生成模块，其特征在于，包括：CAM信息读取单元，该CAM信息读取单元对NAND存储器中的CAM信息进行读取；寄存器值更新单元，该寄存器值更新单元针对所述CAM信息读取单元读取到的所述CAM信息，对与各个所述CAM信息相对应的寄存器值进行更新；CRC码生成单元，该CRC码生成单元利用由所述寄存器值更新单元更新后的所述寄存器值来生成CRC码；以及安全代码存储单元，该安全代码存储单元更新并存储由所述CRC码生成单元生成的所述CRC码，其中，所述CAM信息包括配置信息、修复列信息、坏块信息、以及修复块信息。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东芯半导体股份有限公司 NAND存储器安全代码生成模块和生成方法、以及NAND存储器
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