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申请/专利权人：丹麦技术大学

摘要：一种在半导体衬底构件101上实现的功率变换器，诸如DC‑DC变换器或功率放大器，该功率变换器包括：第一区域102，该第一区域具有无源电气部件104，该无源电气部件具有沉积在半导体衬底构件的相应侧107、108上的导电材料的第一导电层图案105和导电材料的第二导电层图案106；其中，在第一区域内的衬底中通过蚀刻形成沟槽109或通孔110，并且其中，导电材料至少沉积在沟槽的底部上或通孔的侧壁上，并且电连接至第一导电层图案105和第二导电层图案106中的一个或两个；以及第二区域103，该第二区域具有通过半导体制造工艺制造而与半导体衬底101集成的有源半导体部件111。还提供了一种嵌入半导体衬底构件的电源，诸如DC‑DC变换器。

主权项：1.一种功率变换器，该功率变换器包括半导体衬底构件（101），该半导体衬底构件包括：-第一区域（102），该第一区域具有无源电气部件（104），该无源电气部件具有沉积在所述半导体衬底构件（101）的相应侧（107、108）上的导电材料的第一导电层图案（105）和导电材料的第二导电层图案（106）；其中，在所述第一区域内的所述半导体衬底构件（101）中形成沟槽（109）或通孔（110），并且其中，所述导电材料至少沉积在所述沟槽的底部上或所述通孔的侧壁上，并且电连接至所述第一导电层图案（105）和所述第二导电层图案（106）中的一个或两个；以及-第二区域（103），该第二区域具有通过半导体制造工艺嵌入所述半导体衬底构件（101）中的有源半导体部件（111），其中，所述无源电气部件（104）与所述有源半导体部件（111）连接并被配置为提供功率变换器的功能，其中，所述功率变换器通过半导体制造工艺嵌入单片半导体衬底中，并且其中，导电材料的第一导电层图案（105）和导电材料的第二导电层图案（106）沉积在半导体衬底构件（101）的相应侧（107,108）上，所述相应侧是半导体衬底构件（101）的相应顶侧和底侧，其中，第一导电层图案（105）和第二导电层图案（106）在半导体衬底构件（101）在所述第一区域和所述第二区域之间的所述顶侧和所述底侧处的平行的水平面中延伸，以连接无源电气部件（104）与有源半导体部件（111）。

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权利要求：

百度查询： 丹麦技术大学 在半导体衬底构件中实现的功率变换器