申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-06-11

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN111769807B

主分类号：H03F3/217

分类号：H03F3/217

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.18#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本申请公开了一种灵敏放大型D触发器，涉及集成电路领域。该D触发器包括第一反相器、控制管、预充电管、灵敏放大级电路和输出级电路；灵敏放大级电路包括两个对称的放大支路，在每个放大支路中第一PMOS管与第二PMOS管构成差分结构，第三PMOS管和第一NMOS管构成推挽电路，第二PMOS管的栅极作为触发器信号输入端；输出级电路包括两个对称的输出支路，在每个输出支路中第四PMOS管与第二NMOS管构成推挽电路，第二NMOS管与第三NMOS管构成差分结构；解决了传统D触发器时序上不平衡、响应速度慢的问题；达到了令上升沿和下降沿的时序偏差更小，提高时序平衡性，实现更快的响应速度，提高灵敏度的效果。

主权项：1.一种灵敏放大型D触发器，其特征在于，包括第一反相器、控制管、预充电管、灵敏放大级电路和输出级电路，所述灵敏放大级电路与所述输出级电路连接，所述控制管为PMOS管，所述预充电管为NMOS管；所述第一反相器的输入端接收时钟信号，所述第一反相器的输出端与所述控制管的栅极连接，所述控制管的源极连接电源电压；所述第一反相器的输出端还通过所述预充电管与所述灵敏放大级电路连接；所述灵敏放大级电路包括两个对称的放大支路，每个放大支路包括3个PMOS管、1个NMOS管和1个反相器；在每个放大支路中，第一PMOS管与第二PMOS管构成差分结构，第三PMOS管和第一NMOS管构成推挽电路，所述每个放大支路中推挽电路的输出端通过一个反相器与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的栅极作为触发器信号输入端，所述控制管的漏极与每个放大支路中所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极分别连接；在所述灵敏放大级电路中，一个放大支路中推挽电路的输入端与另一个放大支路中推挽电路的输出端连接，两个放大支路中的触发器信号输入端互为互补信号输入端；所述输出级电路包括两个对称的输出支路，每个输出支路包括2个NMOS管和1个PMOS管；在每个输出支路中，第四PMOS管与第二NMOS管构成推挽电路，第二NMOS管与第三NMOS管构成差分结构，所述每个输出支路中推挽电路的输出端为触发器信号输出端；在所述输出级电路中，一个输出支路中推挽电路的输入端与另一个输出支路中推挽电路的输出端连接，两个输出支路中的触发器信号输出端互为互补信号输出端；所述灵敏放大级电路中的每个放大支路连接一个预充电管；对于所述灵敏放大级电路中的每个放大支路，所述预充电管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述预充电管的漏极连接放大支路中推挽电路的输出端，所述预充电管的源极接地。

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